優煒芯榮獲第八屆“創客中國”光電中小企業創新創業大賽企業組第一名并入圍創客中國全國50強

為進一步提升中小企業創新能力和專業化水平，打造創新型中小企業源頭活水，工業和信息化部、財政部共同印發《關于舉辦第八屆“創客中國”中小企業創新創業大賽的通知》（工信部聯企業函〔2023〕191號）。

據悉，大賽共舉辦區域賽35場、重點行業專題賽12場、境外區域賽決賽1場，報名參賽并入庫項目超3.7萬個。

優煒芯“半導體紫外LED器件研發及其產業化”項目榮獲第八屆“創客中國”光電中小企業創新創業大賽企業組第一名并入圍創客中國全國50強。

紫外LED產業發展必要性

紫外線的應用非常廣泛。汞燈作為傳統的紫外燈技術，由于含有劇毒的汞金屬，對人體和環境的危害極大。2020年，中國將根據聯合國《關于汞的水俁公約》要求，禁止高壓汞燈、含汞熒光燈等產品的生產和使用。

紫外LED是基于第三代半導體材料的新一代紫外光源，是中國在非可見光LED領域突圍世界的藍海市場。因此，發展半導體紫外發光二極管（LED）替代傳統的汞燈，既是紫外光源的發展趨勢，也是我國經濟社會可持續發展的迫切需求。國家《“十三五”戰略性新興產業發展規劃》以及《中國制造2025》中明確要求，提升半導體先進光源等核心基礎硬件的供給能力，做大做強節能服務產業，鼓勵研發大功率半導體光源芯片與器件等高效節能設備，為紫外LED芯片的發展指明了方向。

打破國際壟斷，填補國內空白

紫外LED芯片的效率提升一直是科學技術難題。優煒芯積累了從半導體材料外延生長、器件工藝、芯片封裝到終端系統設計的各方面技術優勢，構建了紫外LED芯片+封裝+組件的全產業鏈條。經過10余年持續攻關，在高效紫外LED芯片關鍵技術方面實現了系統性突破，擁有一系列自主知識產權和創新技術，并已成功實現商業化應用，產生了良好的社會經濟效益。

高質量外延材料MOCVD生長技術

針對大失配應變體系中外延材料的生長難題，建立了新型 AlN材料生長動力學模型，研制出厚度10微米以上，材料晶體質量達到國際先進水平的AlN厚膜，為制備高效率紫外LED芯片提供了關鍵材料保障。

全空間高反射ODR光場調控技術

針對深紫外LED的光提取難題，從光場調控的角度出發，設計了一種全空間全向高反射ODR系統，有效調控芯片內部光子的傳播路徑，抑制界面全反射效應和吸收損耗，同步實現TE和TM兩種偏振模式的光提取，提高了深紫外LED芯片的光提取效率。

高效率深紫外LED芯片

實現了芯片尺寸20 mil × 20 mil，發光波長為280 nm的深紫外LED芯片。在20 mA工作電流下，外量子效率達到7.03%，處于國內先進水平，進一步縮小了與國際領先水平的差距。

高效殺菌深紫外LED核心組件

研發出用于高效殺菌消毒領域的深紫外LED核心組件，例如280 nm深紫外LED陣列模組、環形深紫外LED光源組件等。這些模組器件已成功運用于空氣凈化、水凈化、表面殺菌等多個領域。

高密度COB近紫外LED陣列光源

實現高質量膠印應用、高速光纖涂覆應用、大面積液晶顯示應用三個高端光固化領域里的技術突破，開發的高效率紫外LED光源性能達到國際一流水平，填補國內行業空白，助力國家核心產業的發展。